CSP封装芯片的量产测试采用类似晶圆测试的方法进行，但是两者的区别在于：晶圆的测试，探针是扎在管芯的PAD（通常情况下为铝金属）上，而CSP封装的测试座，探针是扎到CSP封装的锡球上。问题由此产生，在晶圆测试中铝质的PAD对探针污染很小，测试过程中不需要经常对探针进行清洁（一般测试几百上千颗进行在线清针一次即可），而CSP封装的锡球对探针污染非常严重，特别是在空气中放置一段时间后，加重了锡球的氧化，对探针的污染就更为严重，另外流过探针的电流大小也会直接影响探针和锡球之间的电气接触。

这样对探针的抗粘粘度及抗氧化能力要求很高，对于一般的探针，测试几十颗就需要对其进行清洁，否则随着沾污越来越严重，会造成探针与锡球之间的接触电阻大到2欧姆以上（一般情况下在0.5欧姆以下），从而严重影响测试结果。对于本文所举实例而言，在负载电阻仅为8.2欧姆的情况下，这样测试得到的VOP-P及PO值仅为真实值的8.2/（8.2+2+2），既0.672倍左右，从而导致测试的严重失效，同时也会影响到THD测试值。所以在测试过程中需要对探针进行不断的清洁动作，这样在不断的清针过程中，既浪费了测试的时间又加速了探针的老化，导致针卡寿命急剧缩短，同样也会造成测试的误判，需要通过多次的复测才能达到比较可信的测试良率。