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IC封装基板

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CSP封装测试中存在的问题怎么解决
2021-05-21
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     CSP封装芯片的量产测试采用类似晶圆测试的方法进行,但是两者的区别在于:晶圆的测试,探针是扎在管芯的PAD(通常情况下为铝金属)上,而CSP封装的测试座,探针是扎到CSP封装的锡球上。问题由此产生,在晶圆测试中铝质的PAD对探针污染很小,测试过程中不需要经常对探针进行清洁(一般测试几百上千颗进行在线清针一次即可),而CSP封装的锡球对探针污染非常严重,特别是在空气中放置一段时间后,加重了锡球的氧化,对探针的污染就更为严重,另外流过探针的电流大小也会直接影响探针和锡球之间的电气接触。

这样对探针的抗粘粘度及抗氧化能力要求很高,对于一般的探针,测试几十颗就需要对其进行清洁,否则随着沾污越来越严重,会造成探针与锡球之间的接触电阻大到2欧姆以上(一般情况下在0.5欧姆以下),从而严重影响测试结果。对于本文所举实例而言,在负载电阻仅为8.2欧姆的情况下,这样测试得到的VOP-P及PO值仅为真实值的8.2/(8.2+2+2),既0.672倍左右,从而导致测试的严重失效,同时也会影响到THD测试值。所以在测试过程中需要对探针进行不断的清洁动作,这样在不断的清针过程中,既浪费了测试的时间又加速了探针的老化,导致针卡寿命急剧缩短,同样也会造成测试的误判,需要通过多次的复测才能达到比较可信的测试良率。


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